トランジスタはＮＰＮトランジスタとＰＮＰトランジスタの２種類があり， 図１にＮＰＮトランジスタの構造と記号を示し， 図２にＰＮＰトランジスタの構造と記号を示す． トランジスタには３個の端子があり， エミッタ（Ｅ），ベース（Ｂ），コレクタ（Ｃ）と 呼んでいる．
ＮＰＮトランジスタを動作させるには，図３に示すように エミッタとベースの間にはベース側が正となるように電圧をかけ， ベースとコレクタの間にはコレクタ側が正となるように電圧をかける． ベースとエミッタはダイオードと同じくＰＮ接合となっており， ベースからエミッタにベース電流ＩＢが流れる． このベース電流ＩＢを１００倍程度増幅した コレクタ電流ＩＣがコレクタからエミッタに流れる． ベース電流ＩＢが変化すると， それに応じてコレクタ電流ＩＣが増幅して変化するため， 微小な信号を大きな信号に増幅することができる．
ＰＮＰトランジスタを動作させるには，図４に示すように， エミッタとベースの間にエミッタが正となるように電圧をかけ， コレクタとエミッタの間にエミッタが正となるように電圧をかける． エミッタとベースの間はＰＮ接合となっており，エミッタから ベースにベース電流ＩＢが流れる． このベース電流ＩＢを１００倍程度増幅した コレクタ電流ＩＣがエミッタからコレクタに流れる．
ＮＰＮトランジスタについて，ベースとエミッタの間の 電圧ＶＢＥとエミッタ電流ＩＥの関係を示す特性図を 図５に示す．
図６にエミッタ接地におけるＩＣ−ＶＣＥ特性を示す． 特性図より，コレクタ電流ＩＣは ベース電流ＩＢが決まると， ＶＣＥにそれほど依存せずに決定することが分かる．
図７にエミッタ接地の基本的増幅回路を示す． 入力電圧ｖ１によって生じるトランジスタへのベース電流 ＩＢが増幅されて，コレクタ電流ＩＣ となる．この電流ＩＣが抵抗Ｒに流れて 出力電圧ｖ２となる．増幅度Ａｖはｖ２とｖ１との 比をとり
Ａｖ＝ｖ２/ｖ１
となる．増幅度Ａｖを大きくするには，Ｒの値を大きくすればよい．
以上の回路では，１つのトランジスタを作動させるために２つの直流電源が必要と なっていたが，１つの電源から分けて動作させるバイアス回路もある． 以下各種バイアス回路を示す．
2004/5/20
制作 須田隆良 E-mail knxkg921@ybb.ne.jp